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jonyxia(楼主) 21 天前 -2018-06-01 15:168466450楼

先用一个随便画的开关电源原理图来说明,欢迎大家留言探讨

pic

 

开关电源在LO为高时(HO置低,mosHO关断),电感由于电流的方向和大小的不可突变原理,需要通过MOS-LO从地抽取电荷,而电荷抽取的频率即为开关电源的工作频率,因此,会在GND上形成周期性的脉冲电平,若不加隔离,会导致芯片的数字地被污染,IR2110驱动mos的电压会有波动,从而影响整体电路的工作,主要是反应在电感有啸叫(如果开关频率较高,则啸叫频率过高导致人耳听不到)而且输出的电压不稳定。

由此,我们引入了数字地(SGND)和功率地(MGND)

在使用过程中为了保证数字地的稳定性,我们需要将二者相互隔离,主要方式有中间用电感链接(磁珠电感)或者使用0omh电阻进行连接,推荐使用电阻进行连接

同时在使用2110的时候需要注意,芯片功率部分的COM口需要连接功率地,若不连接功率地而直接连接到数字地,会将脉冲传导到数字地上,而且输出端输出的电压会有明显的三角波形。

在布线的时候要注意功率走线要尽量的铺铜,减少导线的电阻。

对于外设的接地和电源(电压采集模块,电流采集模块)需要使用数字地进行连接

[修改于 21 天前 - 2018-06-01 15:17:44]


luoyexingkong21 天前 -2018-06-01 15:278466461楼

电感啸叫不是驱动MOS管的电压波动引起的!


jonyxia(楼主) 21 天前 -2018-06-01 15:298466472楼

说的不太清楚,这个应该是跟驱动还有关系,栅极的驱动电压不稳定导致MOS输出不稳@luoyexingkong ;


阮洪文20 天前 -2018-06-03 00:038466853楼

如果功率部分布线合理,并不需要电感或者电阻在逻辑地和功率电源地之间做隔离。当高端导通后截止,低端开始导通,电流从地续流向电感,这个地电流回路应该被限定在L→负载→局部地→低端MOSFET→L。如果这个地电流经过其他地方,才会影响其他电路。

当低端导通时,并不是硬生生从地抽取电荷,造成地电压下降,是电感两端电压变化造成电流流向的变化。

另外,cc1使用了100uf电容,在高频工作时会给电荷泵带来沉重负担,没法及时正常驱动高端MOSFET。感觉楼主只是复制粘贴的示意图,并不是真的用了100uf。

所有的功率电感工作时都会有机械振动的趋势,看制作工艺咋样了。

[修改于 20 天前 - 2018-06-03 00:10:17]


jonyxia(楼主) 11 天前 -2018-06-11 22:398469684楼
引用:阮洪文 发表于3 楼的内容:
如果功率部分布线合理,并不需要电感或者电阻在逻辑地和功率电源地之间做隔离。当高端导通后截止,低端开始.....

元器件的参数确实是复制粘贴的,只是通过图表达下想法。感谢!



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